Главная | Html карта |
Регуляторы Европейского союза наложили мощный штраф на девять корпораций, которые занимаются фабриком схем памяти DRAM (Dynamic Random Access Memory).
Samsung Electronics, NEC Electronics, Hynix Semiconductor, Elpida Memory, Hitachi, Infineon, Toshiba, Mitsubishi Electric и Nanya Technology приняты виновными в формировании картельного сговора. Европейский союз установил, что названные производители преднамеренно фиксировали цены на схемы DRAM во время с 1998 по 2002 год.
Общая сумма выплат со стороны участников сговора сочиняет 331 млн евро (приблизительно 411 млн долл.). Подлинные здоровущие штрафы положены на Samsung, Infineon и Hynix Semiconductor - 145,7, 56,7 и 51,5 млн евро в соответствии с этим. Hitachi придется выплатить 20,4 млн евро; Toshiba - 17,6 млн евро; Mitsubishi Electric - 16,6 млн евро; NEC - 10,3 млн евро; Nanya Technology - 1,8 млн евро.
На команды Elpida Memory, NEC и Hitachi помимо прочего наложен единичный штраф в величине 8,5 млн евро. Помимо всего этого, NEC и Hitachi вероятны станут в добавок заплатить 2,2 млн евро.
Одному из изготовителей - Micron - посчастливилось избежать позволений: в 2002 году эта корпорация сообщила о существовании картеля, за что и была освобождена от ответственности.